SWP3205B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SWP3205B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 540 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SWP3205B
SWP3205B Datasheet (PDF)
swp3205b.pdf

SW3205B N-channel Enhanced mode TO-220 MOSFET Features BVDSS : 60V TO-220 ID : 110A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.8m)@VGS=10V RDS(ON) : 4.8m Low Gate Charge (Typ 80nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application: DC-DC Converter, Inverter, 3 1 Synchronous Rectification 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 Gene
sw3205 swp3205.pdf

SAMWIN SW3205N-channel MOSFETFeatures TO-220BVDSS : 55VID : 110A High ruggedness RDS(ON) (Max 0.008 )@VGS=10VRDS(ON) : 0.008 ohm Gate Charge (Typ 146nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested212311. Gate 2. Drain 3. SourceGeneral Description3This N-channel enhancement mode field-effect power transistor using SAMWINsemiconductor
Другие MOSFET... SWP11N65D , SWP13N50D , SWP13N65K2 , SWP160R12VT , SWP17N80K , SWP180N75A , SWP19N10 , SWP20N65K , IRFP250 , SWP340R10VT , SWP540 , SWP630A1 , SWP640D , SWP70N10V , SWP740D , SWP7N65K , SWP7N70K .
History: JCS8N60SC | ME7705-G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet