SWP70N10V Todos los transistores

 

SWP70N10V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWP70N10V
   Código: SW70N10V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 179 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 95 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 117 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 87 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 177 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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SWP70N10V Datasheet (PDF)

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SWP70N10V
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SW70N10V N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/TO-220 MOSFET Features BVDSS : 95V TO-251 TO-252 TO-220 High ruggedness ID : 70A Low RDS(ON) (Typ 12.4m)@VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 11.7m)@VGS=10V RDS(ON) : 12.4m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 117nC) 11.7m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2

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