SWP70N10V Todos los transistores

 

SWP70N10V MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWP70N10V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 179 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 95 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 87 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 177 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: TO220

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SWP70N10V datasheet

 ..1. Size:761K  samwin
 swi70n10v swd70n10v swp70n10v.pdf pdf_icon

SWP70N10V

SW70N10V N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/TO-220 MOSFET Features BVDSS 95V TO-251 TO-252 TO-220 High ruggedness ID 70A Low RDS(ON) (Typ 12.4m )@VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 11.7m )@VGS=10V RDS(ON) 12.4m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 117nC) 11.7m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2

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