SWP70N10V MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWP70N10V
Маркировка: SW70N10V
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 179 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 95 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 117 nC
Время нарастания (tr): 87 ns
Выходная емкость (Cd): 177 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.013 Ohm
Тип корпуса: TO220
SWP70N10V Datasheet (PDF)
..1. Size:761K samwin
swi70n10v swd70n10v swp70n10v.pdf
swi70n10v swd70n10v swp70n10v.pdf
SW70N10V N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/TO-220 MOSFET Features BVDSS : 95V TO-251 TO-252 TO-220 High ruggedness ID : 70A Low RDS(ON) (Typ 12.4m)@VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 11.7m)@VGS=10V RDS(ON) : 12.4m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 117nC) 11.7m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
