Справочник MOSFET. SWP70N10V

 

SWP70N10V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWP70N10V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 179 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 95 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 87 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 177 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SWP70N10V

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWP70N10V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:761K  samwin
 swi70n10v swd70n10v swp70n10v.pdf pdf_icon

SWP70N10V

SW70N10V N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/TO-220 MOSFET Features BVDSS : 95V TO-251 TO-252 TO-220 High ruggedness ID : 70A Low RDS(ON) (Typ 12.4m)@VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 11.7m)@VGS=10V RDS(ON) : 12.4m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 117nC) 11.7m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2

Другие MOSFET... SWP180N75A , SWP19N10 , SWP20N65K , SWP3205B , SWP340R10VT , SWP540 , SWP630A1 , SWP640D , SKD502T , SWP740D , SWP7N65K , SWP7N70K , SWP80N08V1 , SWP830D1 , SWP8N65D , SWP9N25D , SWP9N50D .

History: 6N70KG-TN3-R | BSC035N04LSG | FDS6680S | PK5G6EA | RJL5015DPK | 2SK681A | STN4260

 

 
Back to Top

 


 
.