SWP80N08V1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWP80N08V1
   Código: SW80N08V1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 192 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 78 nC
   Tiempo de subida (tr): 43 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 312 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0113 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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SWP80N08V1 Datasheet (PDF)

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swp80n08v1.pdf

SW80N08V1N-channel Enhanced mode TO-220 MOSFETFeaturesTO-220 BVDSS : 80V High ruggednessID : 80A Low RDS(ON) (Typ 10m)@VGS=4.5V(Typ 9m)@VGS=10VRDS(ON) : 10m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 78nC)9m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested12 Application:Synchronous Rectification,23Li Battery Protect Board, Inverter

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Liste

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