SWP80N08V1 Todos los transistores

 

SWP80N08V1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWP80N08V1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 312 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0113 Ohm

Encapsulados: TO220

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SWP80N08V1 datasheet

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SWP80N08V1

SW80N08V1 N-channel Enhanced mode TO-220 MOSFET Features TO-220 BVDSS 80V High ruggedness ID 80A Low RDS(ON) (Typ 10m )@VGS=4.5V (Typ 9m )@VGS=10V RDS(ON) 10m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 78nC) 9m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 2 Application Synchronous Rectification, 2 3 Li Battery Protect Board, Inverter

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