Справочник MOSFET. SWP80N08V1

 

SWP80N08V1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWP80N08V1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 312 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0113 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SWP80N08V1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWP80N08V1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:785K  samwin
 swp80n08v1.pdf pdf_icon

SWP80N08V1

SW80N08V1N-channel Enhanced mode TO-220 MOSFETFeaturesTO-220 BVDSS : 80V High ruggednessID : 80A Low RDS(ON) (Typ 10m)@VGS=4.5V(Typ 9m)@VGS=10VRDS(ON) : 10m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 78nC)9m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested12 Application:Synchronous Rectification,23Li Battery Protect Board, Inverter

Другие MOSFET... SWP340R10VT , SWP540 , SWP630A1 , SWP640D , SWP70N10V , SWP740D , SWP7N65K , SWP7N70K , 2N60 , SWP830D1 , SWP8N65D , SWP9N25D , SWP9N50D , SWR601Q , SWSA1N60DC , SWSA2N40D , SWSI2N40DC .

History: FQT5P10TF | SUP50N10-21P | AFP2911W | DMG8880LSS | AOTF66616L | AP8N8R0MT | DMN3018SSS

 

 
Back to Top

 


 
.