SWP80N08V1 - описание и поиск аналогов

 

SWP80N08V1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWP80N08V1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 312 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0113 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SWP80N08V1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWP80N08V1 даташит

 ..1. Size:785K  samwin
 swp80n08v1.pdf pdf_icon

SWP80N08V1

SW80N08V1 N-channel Enhanced mode TO-220 MOSFET Features TO-220 BVDSS 80V High ruggedness ID 80A Low RDS(ON) (Typ 10m )@VGS=4.5V (Typ 9m )@VGS=10V RDS(ON) 10m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 78nC) 9m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 2 Application Synchronous Rectification, 2 3 Li Battery Protect Board, Inverter

Другие MOSFET... SWP340R10VT , SWP540 , SWP630A1 , SWP640D , SWP70N10V , SWP740D , SWP7N65K , SWP7N70K , 20N50 , SWP830D1 , SWP8N65D , SWP9N25D , SWP9N50D , SWR601Q , SWSA1N60DC , SWSA2N40D , SWSI2N40DC .

History: 2SK3339-01 | AP2311GN | STM8324 | AP2R803GJB | MTP12N18 | 2SK1703 | AGM628MD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.