SWP8N65D Todos los transistores

 

SWP8N65D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWP8N65D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 116 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO220

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SWP8N65D datasheet

 ..1. Size:1171K  samwin
 swp8n65d swi8n65d swd8n65d swf8n65d swnx8n65d.pdf pdf_icon

SWP8N65D

SW8N65D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-252/TO-220F/TO-251NX MOSFET BVDSS 650V Features TO-220 TO-251 TO-252 TO-220F TO-251NX ID 8A High ruggedness RDS(ON) 1.1 Low RDS(ON) (Typ 1.1 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 32nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 2 2 2 3 3 3 3 Application Charg

Otros transistores... SWP630A1 , SWP640D , SWP70N10V , SWP740D , SWP7N65K , SWP7N70K , SWP80N08V1 , SWP830D1 , IRF2807 , SWP9N25D , SWP9N50D , SWR601Q , SWSA1N60DC , SWSA2N40D , SWSI2N40DC , SWSI4N40DC , SWSI4N60D .

History: AS2102W | LSB60R092GT | J330 | MTP36N06V | JMSL1040AUQ | VST007N07MS | NTZD3152P

 

 

 

 

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