SWP8N65D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SWP8N65D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SWP8N65D
SWP8N65D Datasheet (PDF)
swp8n65d swi8n65d swd8n65d swf8n65d swnx8n65d.pdf

SW8N65D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-252/TO-220F/TO-251NX MOSFET BVDSS : 650V Features TO-220 TO-251 TO-252 TO-220F TO-251NX ID : 8A High ruggedness RDS(ON) : 1.1 Low RDS(ON) (Typ 1.1)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 32nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 2 2 2 3 3 3 3 Application:Charg
Другие MOSFET... SWP630A1 , SWP640D , SWP70N10V , SWP740D , SWP7N65K , SWP7N70K , SWP80N08V1 , SWP830D1 , IRFB31N20D , SWP9N25D , SWP9N50D , SWR601Q , SWSA1N60DC , SWSA2N40D , SWSI2N40DC , SWSI4N40DC , SWSI4N60D .
History: CMLDM7003E | KUK7606-75B | 2SK2228 | AP4434AGYT-HF | SSM3K329R | IXTJ6N150
History: CMLDM7003E | KUK7606-75B | 2SK2228 | AP4434AGYT-HF | SSM3K329R | IXTJ6N150



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet