SWP9N50D Todos los transistores

 

SWP9N50D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWP9N50D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 126 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SWP9N50D Datasheet (PDF)

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SWP9N50D

SW9N50D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220/TO-252 MOSFET Features TO-252 TO-220F TO-220 BVDSS : 500V ID : 9A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.68)@VGS=10V RDS(ON) : 0.68 Low Gate Charge (Typ 31nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 1 2 2 2 Application: DC-DCLEDPC 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source

 9.1. Size:824K  samwin
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SWP9N50D

SW9N25D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-252 MOSFET BVDSS : 250V Features TO-220 TO-252 ID : 9A High ruggedness RDS(ON) : 0.37 Low RDS(ON) (Typ 0.37)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 20.3nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 3 3 1 Application: LED , DC-DC 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description

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History: AFN4946W | NCE65N760F

 

 
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