SWP9N50D - описание и поиск аналогов

 

SWP9N50D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWP9N50D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 126 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SWP9N50D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWP9N50D даташит

 ..1. Size:1249K  samwin
 swf9n50d swp9n50d swd9n50d.pdf pdf_icon

SWP9N50D

SW9N50D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220/TO-252 MOSFET Features TO-252 TO-220F TO-220 BVDSS 500V ID 9A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.68 )@VGS=10V RDS(ON) 0.68 Low Gate Charge (Typ 31nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 1 2 2 2 Application DC-DC LED PC 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source

 9.1. Size:824K  samwin
 swp9n25d swd9n25d.pdf pdf_icon

SWP9N50D

SW9N25D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-252 MOSFET BVDSS 250V Features TO-220 TO-252 ID 9A High ruggedness RDS(ON) 0.37 Low RDS(ON) (Typ 0.37 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 20.3nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 3 3 1 Application LED , DC-DC 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description

Другие MOSFET... SWP70N10V , SWP740D , SWP7N65K , SWP7N70K , SWP80N08V1 , SWP830D1 , SWP8N65D , SWP9N25D , IRFZ24N , SWR601Q , SWSA1N60DC , SWSA2N40D , SWSI2N40DC , SWSI4N40DC , SWSI4N60D , SWSI4N60DA , SWSI4N70D1 .

History: WTK9410 | IXFC16N80P | TMP4N60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.