SWSA1N60DC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWSA1N60DC
Código: SW1N60DC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 9.26 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 6.3 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.5 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
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SWSA1N60DC Datasheet (PDF)
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SW1N60DCN-channel Enhanced mode TO-252/SOT223 MOSFETFeaturesTO-252 SOT223BVDSS : 600VID : 1A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 7)@VGS=10VRDS(ON) : 7 Low Gate Charge (Typ6.3 nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1122 Application:Charger,Adaptor,LED 3311. Gate 2. Drain 3. Source3General DescriptionThis power MOSFET
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