SWSA1N60DC - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SWSA1N60DC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 9.26 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm
Тип корпуса: SOT223
Аналог (замена) для SWSA1N60DC
SWSA1N60DC Datasheet (PDF)
swd1n60dc swsa1n60dc.pdf
SW1N60DCN-channel Enhanced mode TO-252/SOT223 MOSFETFeaturesTO-252 SOT223BVDSS : 600VID : 1A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 7)@VGS=10VRDS(ON) : 7 Low Gate Charge (Typ6.3 nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1122 Application:Charger,Adaptor,LED 3311. Gate 2. Drain 3. Source3General DescriptionThis power MOSFET
Другие MOSFET... SWP7N65K , SWP7N70K , SWP80N08V1 , SWP830D1 , SWP8N65D , SWP9N25D , SWP9N50D , SWR601Q , 8N60 , SWSA2N40D , SWSI2N40DC , SWSI4N40DC , SWSI4N60D , SWSI4N60DA , SWSI4N70D1 , SWT10N50K , SWT20N50D .
History: AOW15S60 | SWR601Q
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM406MNQ | AGM406MNA | AGM406MBQ | AGM406MBP | AGM406AP | AGM405Q | AGM405MNA | AGM405MBP | AGM405F | AGM405DG | AGM405D | AGM405AP2 | AGM405AP1 | AGM405A | AGM404Q | AGM404D
Popular searches
2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801 | c8550 transistor datasheet


