SWSA1N60DC - описание и поиск аналогов

 

SWSA1N60DC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWSA1N60DC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 9.26 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для SWSA1N60DC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWSA1N60DC даташит

 ..1. Size:911K  samwin
 swd1n60dc swsa1n60dc.pdf pdf_icon

SWSA1N60DC

SW1N60DC N-channel Enhanced mode TO-252/SOT223 MOSFET Features TO-252 SOT223 BVDSS 600V ID 1A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 7 )@VGS=10V RDS(ON) 7 Low Gate Charge (Typ6.3 nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application Charger,Adaptor,LED 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET

Другие MOSFET... SWP7N65K , SWP7N70K , SWP80N08V1 , SWP830D1 , SWP8N65D , SWP9N25D , SWP9N50D , SWR601Q , 8N60 , SWSA2N40D , SWSI2N40DC , SWSI4N40DC , SWSI4N60D , SWSI4N60DA , SWSI4N70D1 , SWT10N50K , SWT20N50D .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.