SWSA1N60DC - аналоги и даташиты транзистора

 

SWSA1N60DC - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SWSA1N60DC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 9.26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWSA1N60DC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:911K  samwin
 swd1n60dc swsa1n60dc.pdf pdf_icon

SWSA1N60DC

SW1N60DCN-channel Enhanced mode TO-252/SOT223 MOSFETFeaturesTO-252 SOT223BVDSS : 600VID : 1A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 7)@VGS=10VRDS(ON) : 7 Low Gate Charge (Typ6.3 nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1122 Application:Charger,Adaptor,LED 3311. Gate 2. Drain 3. Source3General DescriptionThis power MOSFET

Другие MOSFET... SWP7N65K , SWP7N70K , SWP80N08V1 , SWP830D1 , SWP8N65D , SWP9N25D , SWP9N50D , SWR601Q , K2611 , SWSA2N40D , SWSI2N40DC , SWSI4N40DC , SWSI4N60D , SWSI4N60DA , SWSI4N70D1 , SWT10N50K , SWT20N50D .

 

 
Back to Top

 


 
.