SWSI2N40DC Todos los transistores

 

SWSI2N40DC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWSI2N40DC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 39 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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SWSI2N40DC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:828K  samwin
 swsi2n40dc swd2n40dc.pdf pdf_icon

SWSI2N40DC

SW2N40DC N-channel Enhanced mode TO-251S/TO-252 MOSFET Features TO-251S BVDSS : 400V TO-252 ID : 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.8)@VGS=10V RDS(ON) : 2.8 Low Gate Charge (Typ 6.8nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 3 Application:DC-DC,LED 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description

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History: SIUD403ED | IRF6811SPBF | 2SK2931 | 2SK2826-Z | AFP4535 | BR4407 | SFG12R12DF

 

 
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