SWSI2N40DC Todos los transistores

 

SWSI2N40DC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWSI2N40DC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 39 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm

Encapsulados: TO251

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SWSI2N40DC datasheet

 ..1. Size:828K  samwin
 swsi2n40dc swd2n40dc.pdf pdf_icon

SWSI2N40DC

SW2N40DC N-channel Enhanced mode TO-251S/TO-252 MOSFET Features TO-251S BVDSS 400V TO-252 ID 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.8 )@VGS=10V RDS(ON) 2.8 Low Gate Charge (Typ 6.8nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 3 Application DC-DC,LED 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description

Otros transistores... SWP80N08V1 , SWP830D1 , SWP8N65D , SWP9N25D , SWP9N50D , SWR601Q , SWSA1N60DC , SWSA2N40D , 75N75 , SWSI4N40DC , SWSI4N60D , SWSI4N60DA , SWSI4N70D1 , SWT10N50K , SWT20N50D , SWT20N65D , SWT22N65D .

History: FDME410NZT

 

 

 

 

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