Справочник MOSFET. SWSI2N40DC

 

SWSI2N40DC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWSI2N40DC
   Маркировка: SW2N40DC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для SWSI2N40DC

 

 

SWSI2N40DC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:828K  samwin
 swsi2n40dc swd2n40dc.pdf

SWSI2N40DC SWSI2N40DC

SW2N40DC N-channel Enhanced mode TO-251S/TO-252 MOSFET Features TO-251S BVDSS : 400V TO-252 ID : 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.8)@VGS=10V RDS(ON) : 2.8 Low Gate Charge (Typ 6.8nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 3 Application:DC-DC,LED 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top