SWT22N65D Todos los transistores

 

SWT22N65D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWT22N65D
   Código: SW22N65D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 123 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 106 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 423 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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SWT22N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:643K  samwin
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SWT22N65D

SW22N65D N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS : 650V Features ID : 22A High ruggedness RDS(ON) : 0.22 Low RDS(ON) (Typ 0.22)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 123nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: LED , Charger, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This p

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History: HM2N20R

 

 
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