SWT22N65D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWT22N65D
Маркировка: SW22N65D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 278 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 22 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 123 nC
Время нарастания (tr): 106 ns
Выходная емкость (Cd): 423 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.28 Ohm
Тип корпуса: TO247
SWT22N65D Datasheet (PDF)
..1. Size:643K samwin
swt22n65d.pdf
swt22n65d.pdf
SW22N65D N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS : 650V Features ID : 22A High ruggedness RDS(ON) : 0.22 Low RDS(ON) (Typ 0.22)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 123nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: LED , Charger, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This p
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
