Справочник MOSFET. SWT22N65D

 

SWT22N65D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWT22N65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 106 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 423 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SWT22N65D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWT22N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:643K  samwin
 swt22n65d.pdf pdf_icon

SWT22N65D

SW22N65D N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS : 650V Features ID : 22A High ruggedness RDS(ON) : 0.22 Low RDS(ON) (Typ 0.22)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 123nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: LED , Charger, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This p

Другие MOSFET... SWSI2N40DC , SWSI4N40DC , SWSI4N60D , SWSI4N60DA , SWSI4N70D1 , SWT10N50K , SWT20N50D , SWT20N65D , IRF1405 , SWT24N50D , SWT38N60K , SWT38N65K , SWT38N65K2 , SWT38N65K2F , SWT38N70K , SWT45N60K2 , SWT45N60K2F .

History: SMC3415A | AONR21311C

 

 
Back to Top

 


 
.