Справочник MOSFET. SWT22N65D

 

SWT22N65D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWT22N65D
   Маркировка: SW22N65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 123 nC
   trⓘ - Время нарастания: 106 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 423 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWT22N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:643K  samwin
 swt22n65d.pdf pdf_icon

SWT22N65D

SW22N65D N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS : 650V Features ID : 22A High ruggedness RDS(ON) : 0.22 Low RDS(ON) (Typ 0.22)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 123nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: LED , Charger, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This p

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HUF75545S3 | CEDM7001 | HUF75639S3ST | SVG087R0NT | CEDM8001 | SWP740D | UTT108N03

 

 
Back to Top

 


 
.