SWT22N65D - описание и поиск аналогов

 

SWT22N65D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWT22N65D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 106 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 423 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для SWT22N65D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWT22N65D даташит

 ..1. Size:643K  samwin
 swt22n65d.pdf pdf_icon

SWT22N65D

SW22N65D N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS 650V Features ID 22A High ruggedness RDS(ON) 0.22 Low RDS(ON) (Typ 0.22 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 123nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application LED , Charger, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This p

Другие MOSFET... SWSI2N40DC , SWSI4N40DC , SWSI4N60D , SWSI4N60DA , SWSI4N70D1 , SWT10N50K , SWT20N50D , SWT20N65D , IRF830 , SWT24N50D , SWT38N60K , SWT38N65K , SWT38N65K2 , SWT38N65K2F , SWT38N70K , SWT45N60K2 , SWT45N60K2F .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.