SWT24N50D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWT24N50D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 503 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Encapsulados: TO247
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SWT24N50D datasheet
swt24n50d.pdf
SW24N50D N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS 500V Features ID 24A High ruggedness RDS(ON) 0.14 Low RDS(ON) (Typ 0.14 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 129nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application LED , Charger, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This p
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History: SP632S | TPCS8204 | TPCS8105 | FDS8638 | TPCS8102 | TPCS8101 | FDS86252
History: SP632S | TPCS8204 | TPCS8105 | FDS8638 | TPCS8102 | TPCS8101 | FDS86252
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