SWT24N50D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWT24N50D
   Código: SW24N50D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 278 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 24 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 129 nC
   Tiempo de subida (tr): 115 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 503 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

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SWT24N50D Datasheet (PDF)

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swt24n50d.pdf

SW24N50D N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS : 500V Features ID : 24A High ruggedness RDS(ON) : 0.14 Low RDS(ON) (Typ 0.14)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 129nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: LED , Charger, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This p

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