SWT24N50D Todos los transistores

 

SWT24N50D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWT24N50D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 503 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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SWT24N50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:681K  samwin
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SWT24N50D

SW24N50D N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS : 500V Features ID : 24A High ruggedness RDS(ON) : 0.14 Low RDS(ON) (Typ 0.14)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 129nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: LED , Charger, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This p

Otros transistores... SWSI4N40DC , SWSI4N60D , SWSI4N60DA , SWSI4N70D1 , SWT10N50K , SWT20N50D , SWT20N65D , SWT22N65D , 60N06 , SWT38N60K , SWT38N65K , SWT38N65K2 , SWT38N65K2F , SWT38N70K , SWT45N60K2 , SWT45N60K2F , SWT45N65K2 .

History: AP4430GM-HF | 2301L | QM6007K | BL30N60-W | AP9938GEY-HF | PMG370XN | IXFH50N60P3

 

 
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