SWT24N50D Todos los transistores

 

SWT24N50D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWT24N50D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 503 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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SWT24N50D Datasheet (PDF)

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SWT24N50D

SW24N50D N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS : 500V Features ID : 24A High ruggedness RDS(ON) : 0.14 Low RDS(ON) (Typ 0.14)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 129nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: LED , Charger, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This p

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History: SPB16N50C3 | 2P7154VC

 

 
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