Справочник MOSFET. SWT24N50D

 

SWT24N50D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWT24N50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 503 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWT24N50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:681K  samwin
 swt24n50d.pdf pdf_icon

SWT24N50D

SW24N50D N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS : 500V Features ID : 24A High ruggedness RDS(ON) : 0.14 Low RDS(ON) (Typ 0.14)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 129nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: LED , Charger, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This p

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SVG063R5NL5 | UTT18P10G-TA3-T | BUK7M12-60E | HUF76145S3S | SVG086R0NDTR | BUK7Y28-75B | SWT45N60K2F

 

 
Back to Top

 


 
.