SWT24N50D - аналоги и даташиты транзистора

 

SWT24N50D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SWT24N50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 503 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SWT24N50D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWT24N50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:681K  samwin
 swt24n50d.pdf pdf_icon

SWT24N50D

SW24N50D N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS : 500V Features ID : 24A High ruggedness RDS(ON) : 0.14 Low RDS(ON) (Typ 0.14)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 129nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: LED , Charger, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This p

Другие MOSFET... SWSI4N40DC , SWSI4N60D , SWSI4N60DA , SWSI4N70D1 , SWT10N50K , SWT20N50D , SWT20N65D , SWT22N65D , EMB04N03H , SWT38N60K , SWT38N65K , SWT38N65K2 , SWT38N65K2F , SWT38N70K , SWT45N60K2 , SWT45N60K2F , SWT45N65K2 .

History: SM1F02NSU | BUZ50C | JBL102Y

 

 
Back to Top

 


 
.