SWT50N65LF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWT50N65LF
   Código: SW50N65LF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 320 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 136 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 144 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

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SWT50N65LF Datasheet (PDF)

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swt50n65lf.pdf

SW50N65LF N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET Features BVDSS : 650V TO-247 ID : 50A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 77m)@VGS=10V RDS(ON) : 77m Low Gate Charge (Typ 136nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: UPS, LED, Charger, Servicer 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description T

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Liste

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