SWT50N65LF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWT50N65LF
Código: SW50N65LF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 320 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 136 nC
Tiempo de subida (tr): 53 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 144 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.095 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWT50N65LF
SWT50N65LF Datasheet (PDF)
swt50n65lf.pdf
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SW50N65LF N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET Features BVDSS : 650V TO-247 ID : 50A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 77m)@VGS=10V RDS(ON) : 77m Low Gate Charge (Typ 136nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: UPS, LED, Charger, Servicer 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description T
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