SWT50N65LF Todos los transistores

 

SWT50N65LF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWT50N65LF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 320 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 144 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm

Encapsulados: TO247

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SWT50N65LF datasheet

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SWT50N65LF

SW50N65LF N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET Features BVDSS 650V TO-247 ID 50A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 77m )@VGS=10V RDS(ON) 77m Low Gate Charge (Typ 136nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application UPS, LED, Charger, Servicer 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description T

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History: WSF40P06 | IXFA180N10T2 | WM02P06G | 2SK1299L | 2SK1344 | WSF4042 | FS5KM-10A

 

 

 

 

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