Справочник MOSFET. SWT50N65LF

 

SWT50N65LF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWT50N65LF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWT50N65LF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:704K  samwin
 swt50n65lf.pdf pdf_icon

SWT50N65LF

SW50N65LF N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET Features BVDSS : 650V TO-247 ID : 50A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 77m)@VGS=10V RDS(ON) : 77m Low Gate Charge (Typ 136nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: UPS, LED, Charger, Servicer 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description T

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: SVGP103R0NT | UTT100N06 | HUF75337S3S | SWP069R10VS | BUK7K6R2-40E | UT3404G-S08-R | SWP046R08E9T

 

 
Back to Top

 


 
.