Справочник MOSFET. SWT50N65LF

 

SWT50N65LF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWT50N65LF
   Маркировка: SW50N65LF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 136 nC
   trⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SWT50N65LF

 

 

SWT50N65LF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:704K  samwin
 swt50n65lf.pdf

SWT50N65LF SWT50N65LF

SW50N65LF N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET Features BVDSS : 650V TO-247 ID : 50A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 77m)@VGS=10V RDS(ON) : 77m Low Gate Charge (Typ 136nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: UPS, LED, Charger, Servicer 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description T

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AON6754

 

 
Back to Top