SWT50N65LF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SWT50N65LF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SWT50N65LF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SWT50N65LF даташит
swt50n65lf.pdf
SW50N65LF N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET Features BVDSS 650V TO-247 ID 50A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 77m )@VGS=10V RDS(ON) 77m Low Gate Charge (Typ 136nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application UPS, LED, Charger, Servicer 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description T
Другие MOSFET... SWT45N60K2F , SWT45N65K2 , SWT45N65K2F , SWT47N60K , SWT47N65K , SWT47N65K2F , SWT47N65KF , SWT47N70K , IRF3205 , SWT69N65K2 , SWT69N65K2F , SWU069R10VS , SWU100R10VT , SWU10N65D , SWU10N65K , SWU11N65D , SWU16N70K .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
irf540 | bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n

