Справочник MOSFET. SWT50N65LF

 

SWT50N65LF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWT50N65LF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SWT50N65LF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWT50N65LF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:704K  samwin
 swt50n65lf.pdf pdf_icon

SWT50N65LF

SW50N65LF N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET Features BVDSS : 650V TO-247 ID : 50A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 77m)@VGS=10V RDS(ON) : 77m Low Gate Charge (Typ 136nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: UPS, LED, Charger, Servicer 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description T

Другие MOSFET... SWT45N60K2F , SWT45N65K2 , SWT45N65K2F , SWT47N60K , SWT47N65K , SWT47N65K2F , SWT47N65KF , SWT47N70K , IRF3205 , SWT69N65K2 , SWT69N65K2F , SWU069R10VS , SWU100R10VT , SWU10N65D , SWU10N65K , SWU11N65D , SWU16N70K .

History: APT20M40HVR | GP1M003A080XX | SM6A23NSU | SGSP358 | AM20N10-180D | DMN2112SN | STW6N95K5

 

 
Back to Top

 


 
.