SWU069R10VS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWU069R10VS
   Código: SW069R10VS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 178.6 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 70 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 45 nC
   Tiempo de subida (tr): 51 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 494 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0089 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262

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SWU069R10VS Datasheet (PDF)

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SW069R10VS N-channel Enhanced mode DFN5*6/TO-251/TO-252/TO-220/TO-262 MOSFET Features TO-252 TO-220 TO-262 DFN5*6 TO-251 BVDSS : 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.0m)@VGS=4.5V ID : 70A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 7.1m)@VGS=10V 2 7 6 3 RDS(ON) : 9.0m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 45nC) 4 5 Improved dv/dt Capability 7.1m@VGS=10V

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Liste

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