SWU069R10VS Todos los transistores

 

SWU069R10VS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWU069R10VS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 178.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 494 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0089 Ohm

Encapsulados: TO262

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SWU069R10VS datasheet

 ..1. Size:784K  samwin
 swha069r10vs swi069r10vs swd069r10vs swp069r10vs swu069r10vs.pdf pdf_icon

SWU069R10VS

SW069R10VS N-channel Enhanced mode DFN5*6/TO-251/TO-252/TO-220/TO-262 MOSFET Features TO-252 TO-220 TO-262 DFN5*6 TO-251 BVDSS 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.0m )@VGS=4.5V ID 70A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 7.1m )@VGS=10V 2 7 6 3 RDS(ON) 9.0m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 45nC) 4 5 Improved dv/dt Capability 7.1m @VGS=10V

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History: HYG067N07NQ1P | WMO26N65F2 | HY3810PM | SI3139KL3 | WMJ80R480S | SUP60N06-18 | APT4014BVFR

 

 

 

 

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