SWU069R10VS - описание и поиск аналогов

 

SWU069R10VS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWU069R10VS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 494 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0089 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для SWU069R10VS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWU069R10VS даташит

 ..1. Size:784K  samwin
 swha069r10vs swi069r10vs swd069r10vs swp069r10vs swu069r10vs.pdf pdf_icon

SWU069R10VS

SW069R10VS N-channel Enhanced mode DFN5*6/TO-251/TO-252/TO-220/TO-262 MOSFET Features TO-252 TO-220 TO-262 DFN5*6 TO-251 BVDSS 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.0m )@VGS=4.5V ID 70A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 7.1m )@VGS=10V 2 7 6 3 RDS(ON) 9.0m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 45nC) 4 5 Improved dv/dt Capability 7.1m @VGS=10V

Другие MOSFET... SWT47N60K , SWT47N65K , SWT47N65K2F , SWT47N65KF , SWT47N70K , SWT50N65LF , SWT69N65K2 , SWT69N65K2F , 20N60 , SWU100R10VT , SWU10N65D , SWU10N65K , SWU11N65D , SWU16N70K , SWU6N65K , SWU8N60D , SWU8N65K .

History: SFT1423 | 2SK1315L | WMP15N60C4 | APTC90DAM60CT1G | WMK16N70SR

 

 

 

 

↑ Back to Top
.