SWUI7N65D Todos los transistores

 

SWUI7N65D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWUI7N65D
   Código: SW7N65D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 173.6 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 30 nC
   Tiempo de subida (tr): 36 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 108 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

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SWUI7N65D Datasheet (PDF)

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SWUI7N65D SWUI7N65D

SW7N65DN-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-251N/TO-251U/TO-252/TO-220F/TO-220SF/TO-262N/DFN5*6/TO-220FT MOSFETFeaturesTO-220 TO-251TO-251N TO-251U TO-252BVDSS : 650V High ruggednessID : 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1)@VGS=10V RDS(ON) : 1.11 11 112 2 Low Gate Charge (Typ 30nC) 2 22333 33 Improved dv/dt Capability DTO-220FT TO-262N DFN

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