Справочник MOSFET. SWUI7N65D

 

SWUI7N65D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWUI7N65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 173.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SWUI7N65D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWUI7N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1401K  samwin
 swp7n65d swi7n65d swn7n65d swui7n65d swd7n65d swf7n65d swmn7n65d swj7n65d swha7n65d swy7n65d.pdf pdf_icon

SWUI7N65D

SW7N65DN-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-251N/TO-251U/TO-252/TO-220F/TO-220SF/TO-262N/DFN5*6/TO-220FT MOSFETFeaturesTO-220 TO-251TO-251N TO-251U TO-252BVDSS : 650V High ruggednessID : 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1)@VGS=10V RDS(ON) : 1.11 11 112 2 Low Gate Charge (Typ 30nC) 2 22333 33 Improved dv/dt Capability DTO-220FT TO-262N DFN

Другие MOSFET... SWU10N65D , SWU10N65K , SWU11N65D , SWU16N70K , SWU6N65K , SWU8N60D , SWU8N65K , SWU8N80K , IRF630 , SWW20N65K , SWWF7N90D , SWX090R15ET , SWX170R15ET , SWX38N65K2F , SWY10N65D , SWY12N65D , SWY4N60D .

History: HGN024N06SL | TSJ10N10AT | NCE0160AG | IXFH14N60P | RFG50N05L | CEP05P03

 

 
Back to Top

 


 
.