Справочник MOSFET. SWUI7N65D

 

SWUI7N65D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWUI7N65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 173.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWUI7N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1401K  samwin
 swp7n65d swi7n65d swn7n65d swui7n65d swd7n65d swf7n65d swmn7n65d swj7n65d swha7n65d swy7n65d.pdf pdf_icon

SWUI7N65D

SW7N65DN-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-251N/TO-251U/TO-252/TO-220F/TO-220SF/TO-262N/DFN5*6/TO-220FT MOSFETFeaturesTO-220 TO-251TO-251N TO-251U TO-252BVDSS : 650V High ruggednessID : 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1)@VGS=10V RDS(ON) : 1.11 11 112 2 Low Gate Charge (Typ 30nC) 2 22333 33 Improved dv/dt Capability DTO-220FT TO-262N DFN

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: UTC50N06L

 

 
Back to Top

 


 
.