SWX170R15ET MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWX170R15ET
Código: SW170R15ET
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 66 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 164 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 193 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 321 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0196 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWX170R15ET
SWX170R15ET Datasheet (PDF)
swx170r15et.pdf
SW170R15ET N-channel Enhanced mode TO-220FB MOSFET Features BVDSS : 150V TO-220FB High ruggedness ID : 66A Low RDS(ON) (Typ 15.7m)@VGS=10V RDS(ON) : 15.7m Low Gate Charge (Typ 164nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested D 1 Application: Synchronous Rectification, 2 3 Li Battery Protect Board , Inverter G 1. Gate 2
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Liste
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