SWX170R15ET MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWX170R15ET
   Código: SW170R15ET
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 192 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 66 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 164 nC
   Tiempo de subida (tr): 193 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 321 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0196 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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SWX170R15ET Datasheet (PDF)

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swx170r15et.pdf

SW170R15ET N-channel Enhanced mode TO-220FB MOSFET Features BVDSS : 150V TO-220FB High ruggedness ID : 66A Low RDS(ON) (Typ 15.7m)@VGS=10V RDS(ON) : 15.7m Low Gate Charge (Typ 164nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested D 1 Application: Synchronous Rectification, 2 3 Li Battery Protect Board , Inverter G 1. Gate 2

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: