Справочник MOSFET. SWX170R15ET

 

SWX170R15ET MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWX170R15ET
   Маркировка: SW170R15ET
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 66 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 164 nC
   Время нарастания (tr): 193 ns
   Выходная емкость (Cd): 321 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0196 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SWX170R15ET

 

 

SWX170R15ET Datasheet (PDF)

 ..1. Size:614K  samwin
 swx170r15et.pdf

SWX170R15ET SWX170R15ET

SW170R15ET N-channel Enhanced mode TO-220FB MOSFET Features BVDSS : 150V TO-220FB High ruggedness ID : 66A Low RDS(ON) (Typ 15.7m)@VGS=10V RDS(ON) : 15.7m Low Gate Charge (Typ 164nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested D 1 Application: Synchronous Rectification, 2 3 Li Battery Protect Board , Inverter G 1. Gate 2

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top