SWX170R15ET - описание и поиск аналогов

 

SWX170R15ET. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWX170R15ET

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 193 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 321 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0196 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SWX170R15ET

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWX170R15ET даташит

 ..1. Size:614K  samwin
 swx170r15et.pdf pdf_icon

SWX170R15ET

SW170R15ET N-channel Enhanced mode TO-220FB MOSFET Features BVDSS 150V TO-220FB High ruggedness ID 66A Low RDS(ON) (Typ 15.7m )@VGS=10V RDS(ON) 15.7m Low Gate Charge (Typ 164nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested D 1 Application Synchronous Rectification, 2 3 Li Battery Protect Board , Inverter G 1. Gate 2

Другие MOSFET... SWU6N65K , SWU8N60D , SWU8N65K , SWU8N80K , SWUI7N65D , SWW20N65K , SWWF7N90D , SWX090R15ET , IRF3710 , SWX38N65K2F , SWY10N65D , SWY12N65D , SWY4N60D , SWY640D , SWY7N65D , SWYN4N65DD , SWYN7N65D .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.