SWX170R15ET - аналоги и даташиты транзистора

 

SWX170R15ET - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SWX170R15ET
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 193 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 321 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0196 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SWX170R15ET

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWX170R15ET Datasheet (PDF)

 ..1. Size:614K  samwin
 swx170r15et.pdf pdf_icon

SWX170R15ET

SW170R15ET N-channel Enhanced mode TO-220FB MOSFET Features BVDSS : 150V TO-220FB High ruggedness ID : 66A Low RDS(ON) (Typ 15.7m)@VGS=10V RDS(ON) : 15.7m Low Gate Charge (Typ 164nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested D 1 Application: Synchronous Rectification, 2 3 Li Battery Protect Board , Inverter G 1. Gate 2

Другие MOSFET... SWU6N65K , SWU8N60D , SWU8N65K , SWU8N80K , SWUI7N65D , SWW20N65K , SWWF7N90D , SWX090R15ET , IRF3710 , SWX38N65K2F , SWY10N65D , SWY12N65D , SWY4N60D , SWY640D , SWY7N65D , SWYN4N65DD , SWYN7N65D .

History: STD2HNK60Z

 

 
Back to Top

 


 
.