Справочник MOSFET. SWX170R15ET

 

SWX170R15ET Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWX170R15ET
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 193 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 321 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0196 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWX170R15ET Datasheet (PDF)

 ..1. Size:614K  samwin
 swx170r15et.pdf pdf_icon

SWX170R15ET

SW170R15ET N-channel Enhanced mode TO-220FB MOSFET Features BVDSS : 150V TO-220FB High ruggedness ID : 66A Low RDS(ON) (Typ 15.7m)@VGS=10V RDS(ON) : 15.7m Low Gate Charge (Typ 164nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested D 1 Application: Synchronous Rectification, 2 3 Li Battery Protect Board , Inverter G 1. Gate 2

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HU50N06D | HUF76013D3S | CED25N15L | SWP078R08E8T | HUF76445S3ST | UT9435HG-S08-R | UTD351

 

 
Back to Top

 


 
.