SWY10N65D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWY10N65D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de SWY10N65D MOSFET
SWY10N65D Datasheet (PDF)
swf10n65d swmn10n65d swy10n65d swp10n65d swu10n65d swj10n65d.pdf

SW10N65DN-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF/TO-220FT/TO-220/TO-262/TO-262N MOSFETFeaturesTO-262 TO-262NTO-220F TO-220SF TO-220FT TO-220BVDSS : 650V High ruggednessID : 10A Low RDS(ON) (Typ 0.9)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 35nC)RDS(ON) : 0.9 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested2 Application: UPS,Inverter, 1 112 2 1 1 1
Otros transistores... SWU8N65K , SWU8N80K , SWUI7N65D , SWW20N65K , SWWF7N90D , SWX090R15ET , SWX170R15ET , SWX38N65K2F , P55NF06 , SWY12N65D , SWY4N60D , SWY640D , SWY7N65D , SWYN4N65DD , SWYN7N65D , SWYS069R10VS , S10H06R .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: APG60N10S | APG120N04NF | AP8G06S | AP6P04S | AP6G03S | AP65N06DF | AP65N06D | AP4957A | AP15H06S | AP10G04S | AP90N08NF | AP8P06S | AP4G02LI | AP4606B | AP3P06MI | AP2302AI
Popular searches
2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor