SWY10N65D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SWY10N65D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SWY10N65D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWY10N65D даташит

 ..1. Size:1319K  samwin
 swf10n65d swmn10n65d swy10n65d swp10n65d swu10n65d swj10n65d.pdf pdf_icon

SWY10N65D

SW10N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF/TO-220FT/TO-220/TO-262/TO-262N MOSFET Features TO-262 TO-262N TO-220F TO-220SF TO-220FT TO-220 BVDSS 650V High ruggedness ID 10A Low RDS(ON) (Typ 0.9 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 35nC) RDS(ON) 0.9 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 Application UPS,Inverter, 1 1 1 2 2 1 1 1

Другие IGBT... SWU8N65K, SWU8N80K, SWUI7N65D, SWW20N65K, SWWF7N90D, SWX090R15ET, SWX170R15ET, SWX38N65K2F, AON6414A, SWY12N65D, SWY4N60D, SWY640D, SWY7N65D, SWYN4N65DD, SWYN7N65D, SWYS069R10VS, S10H06R