Справочник MOSFET. SWY10N65D

 

SWY10N65D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWY10N65D
   Маркировка: SW10N65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 41.8 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 35 nC
   Время нарастания (tr): 43 ns
   Выходная емкость (Cd): 132 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для SWY10N65D

 

 

SWY10N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1319K  samwin
swf10n65d swmn10n65d swy10n65d swp10n65d swu10n65d swj10n65d.pdf

SWY10N65D
SWY10N65D

SW10N65DN-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF/TO-220FT/TO-220/TO-262/TO-262N MOSFETFeaturesTO-262 TO-262NTO-220F TO-220SF TO-220FT TO-220BVDSS : 650V High ruggednessID : 10A Low RDS(ON) (Typ 0.9)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 35nC)RDS(ON) : 0.9 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested2 Application: UPS,Inverter, 1 112 2 1 1 1

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP450 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top