SWY4N60D Todos los transistores

 

SWY4N60D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWY4N60D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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SWY4N60D Datasheet (PDF)

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SWY4N60D

SW4N60D N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-220FT/TO-251/S/M/TO-252 MOSFET Features BVDSS : 600V TO-251S TO-251M TO-252 TO-220F TO-220FT TO-251 ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.9) RDS(ON) : 1.9 @VGS=10V Low Gate Charge (Typ 18nC) 1 1 1 2 1 1 2 1 2 2 2 3 Improved dv/dt Capability 2 3 3 2 3 3 3 100% Avalanche T

Otros transistores... SWUI7N65D , SWW20N65K , SWWF7N90D , SWX090R15ET , SWX170R15ET , SWX38N65K2F , SWY10N65D , SWY12N65D , IRF9540 , SWY640D , SWY7N65D , SWYN4N65DD , SWYN7N65D , SWYS069R10VS , S10H06R , S10H06RN , S10H06RP .

History: FQD1N50TM | SM6A24NSU | S-LP2307LT1G | HGW059N12S | CS13N15D | PMPB47XP | IXTM10N60

 

 
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