SWY4N60D - описание и поиск аналогов

 

SWY4N60D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWY4N60D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23.5 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SWY4N60D

  - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWY4N60D даташит

 ..1. Size:916K  samwin
 swf4n60d swy4n60d swi4n60d swsi4n60d swmi4n60d swd4n60d.pdf pdf_icon

SWY4N60D

SW4N60D N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-220FT/TO-251/S/M/TO-252 MOSFET Features BVDSS 600V TO-251S TO-251M TO-252 TO-220F TO-220FT TO-251 ID 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.9 ) RDS(ON) 1.9 @VGS=10V Low Gate Charge (Typ 18nC) 1 1 1 2 1 1 2 1 2 2 2 3 Improved dv/dt Capability 2 3 3 2 3 3 3 100% Avalanche T

Другие MOSFET... SWUI7N65D , SWW20N65K , SWWF7N90D , SWX090R15ET , SWX170R15ET , SWX38N65K2F , SWY10N65D , SWY12N65D , 2N7000 , SWY640D , SWY7N65D , SWYN4N65DD , SWYN7N65D , SWYS069R10VS , S10H06R , S10H06RN , S10H06RP .

History: IRF3205ZL

 

 

 


 
↑ Back to Top
.