SWYN7N65D Todos los transistores

 

SWYN7N65D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWYN7N65D
   Código: SW7N65D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 27.8 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 30 nC
   Tiempo de subida (tr): 36 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 108 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

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SWYN7N65D Datasheet (PDF)

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swyn7n65d.pdf

SWYN7N65D
SWYN7N65D

SW7N65DN-channel Enhanced mode TO-220FTN MOSFETFeaturesTO-220FTBVDSS : 650V High ruggedness ID : 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1)@VGS=10VRDS(ON) : 1.1 Low Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 12D 100% Avalanche Tested3 Application:Charger,LED,PC Power1. Gate 2. Drain 3. Source GGeneral DescriptionSThis power MOSFET is produced wi

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