Справочник MOSFET. SWYN7N65D

 

SWYN7N65D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWYN7N65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SWYN7N65D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWYN7N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:917K  samwin
 swyn7n65d.pdf pdf_icon

SWYN7N65D

SW7N65DN-channel Enhanced mode TO-220FTN MOSFETFeaturesTO-220FTBVDSS : 650V High ruggedness ID : 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1)@VGS=10VRDS(ON) : 1.1 Low Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 12D 100% Avalanche Tested3 Application:Charger,LED,PC Power1. Gate 2. Drain 3. Source GGeneral DescriptionSThis power MOSFET is produced wi

Другие MOSFET... SWX170R15ET , SWX38N65K2F , SWY10N65D , SWY12N65D , SWY4N60D , SWY640D , SWY7N65D , SWYN4N65DD , AON7408 , SWYS069R10VS , S10H06R , S10H06RN , S10H06RP , S10H06S , S10H07M , S10H08R , S10H08RN .

History: AO4938 | LSG65R650HT | AM8814 | CTLDM7003-M621

 

 
Back to Top

 


 
.