Справочник MOSFET. SWYN7N65D

 

SWYN7N65D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWYN7N65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 27.8 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 36 ns
   Выходная емкость (Cd): 108 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для SWYN7N65D

 

 

SWYN7N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:917K  samwin
swyn7n65d.pdf

SWYN7N65D
SWYN7N65D

SW7N65DN-channel Enhanced mode TO-220FTN MOSFETFeaturesTO-220FTBVDSS : 650V High ruggedness ID : 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1)@VGS=10VRDS(ON) : 1.1 Low Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 12D 100% Avalanche Tested3 Application:Charger,LED,PC Power1. Gate 2. Drain 3. Source GGeneral DescriptionSThis power MOSFET is produced wi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP450 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top