SWYN7N65D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SWYN7N65D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для SWYN7N65D
SWYN7N65D Datasheet (PDF)
swyn7n65d.pdf

SW7N65DN-channel Enhanced mode TO-220FTN MOSFETFeaturesTO-220FTBVDSS : 650V High ruggedness ID : 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1)@VGS=10VRDS(ON) : 1.1 Low Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 12D 100% Avalanche Tested3 Application:Charger,LED,PC Power1. Gate 2. Drain 3. Source GGeneral DescriptionSThis power MOSFET is produced wi
Другие MOSFET... SWX170R15ET , SWX38N65K2F , SWY10N65D , SWY12N65D , SWY4N60D , SWY640D , SWY7N65D , SWYN4N65DD , STP75NF75 , SWYS069R10VS , S10H06R , S10H06RN , S10H06RP , S10H06S , S10H07M , S10H08R , S10H08RN .
History: 2SK1494-Z | FDB5690 | FDN8601 | BSP75G | JMSL0406AGQ | HM2310B | 2SK1399
History: 2SK1494-Z | FDB5690 | FDN8601 | BSP75G | JMSL0406AGQ | HM2310B | 2SK1399



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210