Справочник MOSFET. SWYN7N65D

 

SWYN7N65D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWYN7N65D
   Маркировка: SW7N65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   trⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для SWYN7N65D

 

 

SWYN7N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:917K  samwin
 swyn7n65d.pdf

SWYN7N65D SWYN7N65D

SW7N65DN-channel Enhanced mode TO-220FTN MOSFETFeaturesTO-220FTBVDSS : 650V High ruggedness ID : 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1)@VGS=10VRDS(ON) : 1.1 Low Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 12D 100% Avalanche Tested3 Application:Charger,LED,PC Power1. Gate 2. Drain 3. Source GGeneral DescriptionSThis power MOSFET is produced wi

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top