SWYS069R10VS Todos los transistores

 

SWYS069R10VS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWYS069R10VS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 42 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 57 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tiempo de subida (tr): 35 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 453 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWYS069R10VS

 

SWYS069R10VS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:820K  samwin
swys069r10vs.pdf

SWYS069R10VS
SWYS069R10VS

SW069R10VS N-channel Enhanced mode TO-220FTS MOSFET Features TO-220FTS BVDSS : 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.4m)@VGS=4.5V ID : 57A (Typ 7.8m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 42nC) RDS(ON) : 9.4m@VGS=4.5V Improved dv/dt Capability 7.8m@VGS=10V 100% Avalanche Tested 1 2 Application:Synchronous Rectification, 3 2

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP450 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top