SWYS069R10VS Todos los transistores

 

SWYS069R10VS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWYS069R10VS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 57 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 453 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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SWYS069R10VS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:820K  samwin
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SWYS069R10VS

SW069R10VS N-channel Enhanced mode TO-220FTS MOSFET Features TO-220FTS BVDSS : 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.4m)@VGS=4.5V ID : 57A (Typ 7.8m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 42nC) RDS(ON) : 9.4m@VGS=4.5V Improved dv/dt Capability 7.8m@VGS=10V 100% Avalanche Tested 1 2 Application:Synchronous Rectification, 3 2

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History: IXTH130N15T | PMCXB900UE | STU70N2LH5 | APM2309AC | SUD50N10-34P | CHM5506JGP | RSS090P03FU6TB

 

 
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