SWYS069R10VS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWYS069R10VS
Código: SW069R10VS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 42 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 57 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.3 V
Carga de la puerta (Qg): 42 nC
Tiempo de subida (tr): 35 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 453 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWYS069R10VS
SWYS069R10VS Datasheet (PDF)
swys069r10vs.pdf
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SW069R10VS N-channel Enhanced mode TO-220FTS MOSFET Features TO-220FTS BVDSS : 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.4m)@VGS=4.5V ID : 57A (Typ 7.8m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 42nC) RDS(ON) : 9.4m@VGS=4.5V Improved dv/dt Capability 7.8m@VGS=10V 100% Avalanche Tested 1 2 Application:Synchronous Rectification, 3 2
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Liste
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