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SWYS069R10VS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWYS069R10VS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 57 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 453 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWYS069R10VS

 

Principales características: SWYS069R10VS

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SWYS069R10VS

SW069R10VS N-channel Enhanced mode TO-220FTS MOSFET Features TO-220FTS BVDSS 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.4m )@VGS=4.5V ID 57A (Typ 7.8m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 42nC) RDS(ON) 9.4m @VGS=4.5V Improved dv/dt Capability 7.8m @VGS=10V 100% Avalanche Tested 1 2 Application Synchronous Rectification, 3 2

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