SWYS069R10VS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWYS069R10VS
Маркировка: SW069R10VS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 57 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 42 nC
Время нарастания (tr): 35 ns
Выходная емкость (Cd): 453 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для SWYS069R10VS
SWYS069R10VS Datasheet (PDF)
..1. Size:820K samwin
swys069r10vs.pdf
swys069r10vs.pdf
SW069R10VS N-channel Enhanced mode TO-220FTS MOSFET Features TO-220FTS BVDSS : 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.4m)@VGS=4.5V ID : 57A (Typ 7.8m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 42nC) RDS(ON) : 9.4m@VGS=4.5V Improved dv/dt Capability 7.8m@VGS=10V 100% Avalanche Tested 1 2 Application:Synchronous Rectification, 3 2
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
