SWYS069R10VS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SWYS069R10VS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 453 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SWYS069R10VS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWYS069R10VS даташит

 ..1. Size:820K  samwin
 swys069r10vs.pdf pdf_icon

SWYS069R10VS

SW069R10VS N-channel Enhanced mode TO-220FTS MOSFET Features TO-220FTS BVDSS 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.4m )@VGS=4.5V ID 57A (Typ 7.8m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 42nC) RDS(ON) 9.4m @VGS=4.5V Improved dv/dt Capability 7.8m @VGS=10V 100% Avalanche Tested 1 2 Application Synchronous Rectification, 3 2

Другие IGBT... SWX38N65K2F, SWY10N65D, SWY12N65D, SWY4N60D, SWY640D, SWY7N65D, SWYN4N65DD, SWYN7N65D, IRF630, S10H06R, S10H06RN, S10H06RP, S10H06S, S10H07M, S10H08R, S10H08RN, S10H08RP