Справочник MOSFET. SWYS069R10VS

 

SWYS069R10VS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWYS069R10VS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 453 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SWYS069R10VS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWYS069R10VS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:820K  samwin
 swys069r10vs.pdf pdf_icon

SWYS069R10VS

SW069R10VS N-channel Enhanced mode TO-220FTS MOSFET Features TO-220FTS BVDSS : 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.4m)@VGS=4.5V ID : 57A (Typ 7.8m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 42nC) RDS(ON) : 9.4m@VGS=4.5V Improved dv/dt Capability 7.8m@VGS=10V 100% Avalanche Tested 1 2 Application:Synchronous Rectification, 3 2

Другие MOSFET... SWX38N65K2F , SWY10N65D , SWY12N65D , SWY4N60D , SWY640D , SWY7N65D , SWYN4N65DD , SWYN7N65D , 7N65 , S10H06R , S10H06RN , S10H06RP , S10H06S , S10H07M , S10H08R , S10H08RN , S10H08RP .

History: CJ3139KDW | RJK5013DPE | MTW35N15E | FDS5170N7 | IXTQ96N15P | SIHFBE20

 

 
Back to Top

 


 
.