S30N08M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: S30N08M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 67 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 78 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
Carga de la puerta (Qg): 40 nC
Tiempo de subida (tr): 29 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 260 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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S30N08M Datasheet (PDF)
s30n08m.pdf
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