S30N08M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: S30N08M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 67 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 78 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 40 nC
Время нарастания (tr): 29 ns
Выходная емкость (Cd): 260 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0055 Ohm
Тип корпуса: TO252
S30N08M Datasheet (PDF)
s30n08m.pdf
S30N08M SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=30V,ID=78A DC Motor Control Rds(on)(typ)=8m@Vgs=4.5V DC-DC Converters Rds(on)(typ)=4.8m@Vgs=10V BMS 100% Avalanche Tested SMPS 100% Rg TestedAutomotive Environment Lead-Free (RoHS Compliant) Internal Circuit and Pin
rfp30n06le rf1s30n06lesm.pdf
RFP30N06LE, RF1S30N06LESMData Sheet January 200430A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic FeaturesLevel N-Channel Power MOSFETs 30A, 60VThese are N-Channel power MOSFETs manufactured using rDS(ON) = 0.047the MegaFET process. This process, which uses feature 2kV ESD Protectedsizes approaching those of LSI integrated circuits gives optimum utilization of silicon, res
rf1s30n06le.pdf
RFP30N06LE, RF1S30N06LE,S E M I C O N D U C T O RRF1S30N06LESM30A, 60V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic LevelN-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETsJuly 1995Features PackagesJEDEC TO-220AB 30A, 60VSOURCEDRAINGATE rDS(ON) = 0.047 2kV ESD Protected Temperature Compensating PSPICE ModelDRAIN Peak Current vs Pulse Width Curve (FLANGE) UIS Ra
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: IRLR7833
