SP8010E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SP8010E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.67 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 24 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 304 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm
Encapsulados: TSON3.3X3.3
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SP8010E datasheet
sp8010e.pdf
Green Product SP8010E a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.2 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Typ VDSS ID Rugged and reliable. 4.3 @ VGS=10V Suface Mount Package. 24V 26A 4.9 @ VGS=6V ESD Protected. 7.0 @ VGS=4V D 5 4 G D 6 3 S 7 2 D S Pin 1 8 1 D S TSON 3.3 x 3.3
Otros transistores... FDS6990AS , SP8076 , FDS6994S , SP8013 , FDS8447 , FDS8449 , FDS8449F085 , FDS86106 , K3569 , FDS86140 , SP8009EL , FDS86141 , SP8005 , FDS86240 , FDS86242 , FDS86252 , FDS8638 .
History: SP8009EL
History: SP8009EL
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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