Справочник MOSFET. SP8010E

 

SP8010E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SP8010E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.67 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 27 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 304 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm
   Тип корпуса: TSON3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для SP8010E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SP8010E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:112K  samhop
 sp8010e.pdf pdf_icon

SP8010E

GreenProductSP8010EaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.2N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) TypVDSS IDRugged and reliable.4.3 @ VGS=10VSuface Mount Package.24V 26A 4.9 @ VGS=6V ESD Protected.7.0 @ VGS=4V D 5 4 GD 6 3S7 2D SPin 18 1D STSON 3.3 x 3.3

 9.1. Size:109K  samhop
 sp8013.pdf pdf_icon

SP8010E

GreenProductSP8013aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.7.9 @ VGS=-10VSuface Mount Package.-20V -20A11.2 @ VGS=-4.5VESD Protected.D 5 4G6 3D S7 2D SPin 1D 8 1STSON 3.3 x 3.3(TA=25

Другие MOSFET... FDS6990AS , SP8076 , FDS6994S , SP8013 , FDS8447 , FDS8449 , FDS8449F085 , FDS86106 , SPP20N60C3 , FDS86140 , SP8009EL , FDS86141 , SP8005 , FDS86240 , FDS86242 , FDS86252 , FDS8638 .

 

 
Back to Top

 


 
.