SP8010E - описание и поиск аналогов

 

SP8010E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SP8010E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.67 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 24 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 304 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm

Тип корпуса: TSON3.3X3.3

Аналог (замена) для SP8010E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SP8010E даташит

 ..1. Size:112K  samhop
 sp8010e.pdf pdf_icon

SP8010E

Green Product SP8010E a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.2 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Typ VDSS ID Rugged and reliable. 4.3 @ VGS=10V Suface Mount Package. 24V 26A 4.9 @ VGS=6V ESD Protected. 7.0 @ VGS=4V D 5 4 G D 6 3 S 7 2 D S Pin 1 8 1 D S TSON 3.3 x 3.3

 9.1. Size:109K  samhop
 sp8013.pdf pdf_icon

SP8010E

Другие MOSFET... FDS6990AS , SP8076 , FDS6994S , SP8013 , FDS8447 , FDS8449 , FDS8449F085 , FDS86106 , K3569 , FDS86140 , SP8009EL , FDS86141 , SP8005 , FDS86240 , FDS86242 , FDS86252 , FDS8638 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.