S65N07M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: S65N07M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 83 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 65 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 71 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.6 V
Carga de la puerta (Qg): 72 nC
Tiempo de subida (tr): 25 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 366 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET S65N07M
S65N07M Datasheet (PDF)
s65n07m.pdf
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