S65N07M - описание и поиск аналогов

 

S65N07M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: S65N07M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 71 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 366 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для S65N07M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

S65N07M даташит

 ..1. Size:291K  cn si-tech
 s65n07m.pdf pdf_icon

S65N07M

S65N07M SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=65V,ID=71A DC Motor Control Rds(on)(typ)=6.8m @Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D D G G S S Package TO-252

 9.1. Size:519K  cn hmsemi
 hms65n03q.pdf pdf_icon

S65N07M

HMS65N03Q N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The HMS65N03Q uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectific

Другие MOSFET... S60N15R , S60N15RN , S60N15RP , S60N15S , S60N18R , S60N18RN , S60N18RP , S60N18S , IRF1405 , S68N08RN , S68N08RP , S68N08ZR , S68N08ZS , S68N08ZRN , S68N08ZRP , S70N06R , S70N06RN .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.