S80N22T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: S80N22T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 290 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 196 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1068 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de S80N22T MOSFET
S80N22T Datasheet (PDF)
s80n22t.pdf

S80N22T SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures Applications VDS=80V,ID=196A DC Motor Control Rds(on)(typ)=3m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description DGGDSSPackage TO-247 Pack
Otros transistores... S8045RP , S8045S , S80N08R , S80N08RN , S80N08RP , S80N08S , S80N10RN , S80N10RP , IRF540N , S85N042R , S85N042RN , S85N042RP , S85N042S , S85N048S , S85N16R , S85N16RN , S85N16RP .
History: SM4512NHKP | RJK6013DPE | AP4P018M | SQ2351ES | HMS35DN10DA | RFP12N10 | IXFN360N10T
History: SM4512NHKP | RJK6013DPE | AP4P018M | SQ2351ES | HMS35DN10DA | RFP12N10 | IXFN360N10T



Liste
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MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
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