S80N22T - описание и поиск аналогов

 

S80N22T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: S80N22T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 196 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1068 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для S80N22T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

S80N22T даташит

 ..1. Size:2134K  cn si-tech
 s80n22t.pdf pdf_icon

S80N22T

S80N22T SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=80V,ID=196A DC Motor Control Rds(on)(typ)=3m @Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D G G D S S Package TO-247 Pack

Другие MOSFET... S8045RP , S8045S , S80N08R , S80N08RN , S80N08RP , S80N08S , S80N10RN , S80N10RP , IRF540 , S85N042R , S85N042RN , S85N042RP , S85N042S , S85N048S , S85N16R , S85N16RN , S85N16RP .

History: LSH65R1K5HT | TT8U1TR | MTP7N20

 

 

 

 

↑ Back to Top
.