Справочник MOSFET. S80N22T

 

S80N22T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: S80N22T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 196 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1068 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

S80N22T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2134K  cn si-tech
s80n22t.pdfpdf_icon

S80N22T

S80N22T SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures Applications VDS=80V,ID=196A DC Motor Control Rds(on)(typ)=3m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description DGGDSSPackage TO-247 Pack

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: K2837B | APT6025BVR | IRF7306PBF | RFH25P08 | IPB60R299CPA | BLP065N10GL-D | FTK3400

 

 
Back to Top

 


 
.