S85N16RN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: S85N16RN  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 85 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 153 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 665 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0053 Ohm

Encapsulados: TO220

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S85N16RN datasheet

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S85N16RN

S85N16R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=85V,ID=153A DC Motor Control Rds(on)(typ)=4.6m @Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D D G G G G G D D D

Otros transistores... S80N10RP, S80N22T, S85N042R, S85N042RN, S85N042RP, S85N042S, S85N048S, S85N16R, 2N7002, S85N16RP, S85N16S, CRST037N10N, CRSS035N10N, DP3080, HY3506P, HY3506B, LTP70N06P