S85N16RN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: S85N16RN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 153 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.6 VQgⓘ - Carga de la puerta: 81 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 665 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0053 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET S85N16RN
S85N16RN Datasheet (PDF)
s85n16r s85n16s s85n16rn s85n16rp.pdf
S85N16R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures Applications VDS=85V,ID=153A DC Motor Control Rds(on)(typ)=4.6m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description DDGG G GG D DD
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Liste
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