S85N16RN Todos los transistores

 

S85N16RN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: S85N16RN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 153 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 665 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0053 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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S85N16RN datasheet

 ..1. Size:2322K  cn si-tech
 s85n16r s85n16s s85n16rn s85n16rp.pdf pdf_icon

S85N16RN

S85N16R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=85V,ID=153A DC Motor Control Rds(on)(typ)=4.6m @Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D D G G G G G D D D ... See More ⇒

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