S85N16RN - описание и поиск аналогов

 

S85N16RN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: S85N16RN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 153 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 665 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для S85N16RN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

S85N16RN даташит

 ..1. Size:2322K  cn si-tech
 s85n16r s85n16s s85n16rn s85n16rp.pdf pdf_icon

S85N16RN

S85N16R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=85V,ID=153A DC Motor Control Rds(on)(typ)=4.6m @Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D D G G G G G D D D

Другие MOSFET... S80N10RP , S80N22T , S85N042R , S85N042RN , S85N042RP , S85N042S , S85N048S , S85N16R , IRFB4110 , S85N16RP , S85N16S , CRST037N10N , CRSS035N10N , DP3080 , HY3506P , HY3506B , LTP70N06P .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.