S85N16RP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: S85N16RP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 250 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 85 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 153 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.6 V
   Carga de la puerta (Qg): 81 nC
   Tiempo de subida (tr): 46 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 665 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0053 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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S85N16RP Datasheet (PDF)

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s85n16r s85n16s s85n16rn s85n16rp.pdf

S85N16R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures Applications VDS=85V,ID=153A DC Motor Control Rds(on)(typ)=4.6m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description DDGG G GG D DD

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: