Справочник MOSFET. S85N16RP

 

S85N16RP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: S85N16RP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 153 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 665 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для S85N16RP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

S85N16RP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2322K  cn si-tech
 s85n16r s85n16s s85n16rn s85n16rp.pdf pdf_icon

S85N16RP

S85N16R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures Applications VDS=85V,ID=153A DC Motor Control Rds(on)(typ)=4.6m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description DDGG G GG D DD

Другие MOSFET... S80N22T , S85N042R , S85N042RN , S85N042RP , S85N042S , S85N048S , S85N16R , S85N16RN , IRF630 , S85N16S , CRST037N10N , CRSS035N10N , DP3080 , HY3506P , HY3506B , LTP70N06P , NCE65TF130T .

History: FQD5P10 | 2N5547

 

 
Back to Top

 


 
.