S85N16RP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: S85N16RP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 250 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 85 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.6 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 153 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 81 nC
Время нарастания (tr): 46 ns
Выходная емкость (Cd): 665 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0053 Ohm
Тип корпуса: TO220
S85N16RP Datasheet (PDF)
..1. Size:2322K cn si-tech
s85n16r s85n16s s85n16rn s85n16rp.pdf
s85n16r s85n16s s85n16rn s85n16rp.pdf
S85N16R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures Applications VDS=85V,ID=153A DC Motor Control Rds(on)(typ)=4.6m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description DDGG G GG D DD
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
