DP3080 Todos los transistores

 

DP3080 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DP3080
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 75 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tiempo de subida (tr): 80 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 278 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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DP3080 Datasheet (PDF)

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DP3080
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DP3080TO-252Datasheet of DP3080TO-25218033419374QQ2171689052Shenzhen Developer Microelectronics Co.,Ltd.707-710Address:Unit 7-10,7/F.,west block, Skyworth Semiconductor design Building,The 4th on High-tech Zone, Nanshan

Otros transistores... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , P55NF06 , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .

 

 
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