DP3080 - описание и поиск аналогов

 

DP3080 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DP3080
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 278 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для DP3080

 

DP3080 технические параметры

 ..1. Size:1314K  1
dp3080.pdfpdf_icon

DP3080

DP3080 TO-252 Datasheet of DP3080 TO-252 18033419374 QQ 2171689052 Shenzhen Developer Microelectronics Co.,Ltd. 707-710 Address Unit 7-10,7/F.,west block, Skyworth Semiconductor design Building, The 4th on High-tech Zone, Nanshan

Другие MOSFET... S85N042S , S85N048S , S85N16R , S85N16RN , S85N16RP , S85N16S , CRST037N10N , CRSS035N10N , IRF3710 , HY3506P , HY3506B , LTP70N06P , NCE65TF130T , HG3P056N20S , HG3P095N25S , HGA025N06S , HGA028NE6AL .

 

 
Back to Top

 


 
.