DP3080 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: DP3080
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 278 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для DP3080
DP3080 Datasheet (PDF)
dp3080.pdf

DP3080TO-252Datasheet of DP3080TO-25218033419374QQ2171689052Shenzhen Developer Microelectronics Co.,Ltd.707-710Address:Unit 7-10,7/F.,west block, Skyworth Semiconductor design Building,The 4th on High-tech Zone, Nanshan
Другие MOSFET... S85N042S , S85N048S , S85N16R , S85N16RN , S85N16RP , S85N16S , CRST037N10N , CRSS035N10N , P55NF06 , HY3506P , HY3506B , LTP70N06P , NCE65TF130T , HG3P056N20S , HG3P095N25S , HGA025N06S , HGA028NE6AL .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MP20N40P | MP18N20 | MP180N06P | MP150N08P | MP11P20 | MLS65R580D | MLS65R380D | MLS60R380D | MDT9N20 | MDT7N65 | MDT70N03 | MDT60NF06D | MDT60N10D | MDT60N06D | MDT5N65 | MPG100N08P
Popular searches
2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955