DP3080 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DP3080
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.8 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 48 nC
Время нарастания (tr): 80 ns
Выходная емкость (Cd): 278 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0055 Ohm
Тип корпуса: TO252
DP3080 Datasheet (PDF)
..1. Size:1314K 1
dp3080.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
dp3080.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DP3080TO-252Datasheet of DP3080TO-25218033419374QQ2171689052Shenzhen Developer Microelectronics Co.,Ltd.707-710Address:Unit 7-10,7/F.,west block, Skyworth Semiconductor design Building,The 4th on High-tech Zone, Nanshan
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .