HY3506P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HY3506P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 306 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 190 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 160 nC
   Tiempo de subida (tr): 12 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1010 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HY3506P

HY3506P Datasheet (PDF)

..1. Size:579K 1
hy3506p hy3506b.pdf

HY3506P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/190ARDS(ON)= 3.5 m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche testedSDG Reliable and RuggedSD Lead Free and Green Devices AvailableG(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplicationsSwitching application Power Management for Inverter Systems.N-Channel MOSFETOrdering and

9.1. Size:923K 1
hy3503c2.pdf

HY3503C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 30V/150AD D D D D D D DRDS(ON)= 2.0m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 2.7m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and RuggedS S S G G S S S Halogen- Free Devices AvailablePin1 PPAK5*6-8L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFET

9.2. Size:923K hymexa
hy3503c2.pdf

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Liste

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