HY3506P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY3506P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 306 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1010 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HY3506P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY3506P даташит

 ..1. Size:579K  1
 hy3506p hy3506b.pdf pdf_icon

HY3506P

HY3506P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 60V/190A RDS(ON)= 3.5 m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested S D G Reliable and Rugged S D Lead Free and Green Devices Available G (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching application Power Management for Inverter Systems. N-Channel MOSFET Ordering and

 9.1. Size:923K  1
 hy3503c2.pdf pdf_icon

HY3506P

 9.2. Size:923K  hymexa
 hy3503c2.pdf pdf_icon

HY3506P

Другие IGBT... S85N048S, S85N16R, S85N16RN, S85N16RP, S85N16S, CRST037N10N, CRSS035N10N, DP3080, IRF3710, HY3506B, LTP70N06P, NCE65TF130T, HG3P056N20S, HG3P095N25S, HGA025N06S, HGA028NE6AL, HGA040N06S