HY3506P - описание и поиск аналогов

 

HY3506P - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HY3506P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 306 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1010 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HY3506P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY3506P технические параметры

 ..1. Size:579K  1
 hy3506p hy3506b.pdf pdf_icon

HY3506P

HY3506P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 60V/190A RDS(ON)= 3.5 m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested S D G Reliable and Rugged S D Lead Free and Green Devices Available G (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching application Power Management for Inverter Systems. N-Channel MOSFET Ordering and

 9.1. Size:923K  1
 hy3503c2.pdf pdf_icon

HY3506P

 9.2. Size:923K  hymexa
 hy3503c2.pdf pdf_icon

HY3506P

Другие MOSFET... S85N048S , S85N16R , S85N16RN , S85N16RP , S85N16S , CRST037N10N , CRSS035N10N , DP3080 , 10N60 , HY3506B , LTP70N06P , NCE65TF130T , HG3P056N20S , HG3P095N25S , HGA025N06S , HGA028NE6AL , HGA040N06S .

 

 
Back to Top

 


 
.