HY3506B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HY3506B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 306 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 190 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 160 nC
Tiempo de subida (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1010 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0045 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HY3506B
HY3506B Datasheet (PDF)
hy3506p hy3506b.pdf
HY3506P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/190ARDS(ON)= 3.5 m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche testedSDG Reliable and RuggedSD Lead Free and Green Devices AvailableG(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplicationsSwitching application Power Management for Inverter Systems.N-Channel MOSFETOrdering and
hy3503c2.pdf
HY3503C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 30V/150AD D D D D D D DRDS(ON)= 2.0m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 2.7m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and RuggedS S S G G S S S Halogen- Free Devices AvailablePin1 PPAK5*6-8L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFET
hy3503c2.pdf
HY3503C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 30V/150AD D D D D D D DRDS(ON)= 2.0m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 2.7m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and RuggedS S S G G S S S Halogen- Free Devices AvailablePin1 PPAK5*6-8L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFET
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