HY3506B Todos los transistores

 

HY3506B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY3506B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 306 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 190 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tiempo de subida (tr): 12 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1010 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

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HY3506B Datasheet (PDF)

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hy3506p hy3506b.pdf

HY3506B
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HY3506P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/190ARDS(ON)= 3.5 m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche testedSDG Reliable and RuggedSD Lead Free and Green Devices AvailableG(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplicationsSwitching application Power Management for Inverter Systems.N-Channel MOSFETOrdering and

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hy3503c2.pdf

HY3506B
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HY3503C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 30V/150AD D D D D D D DRDS(ON)= 2.0m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 2.7m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and RuggedS S S G G S S S Halogen- Free Devices AvailablePin1 PPAK5*6-8L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFET

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hy3503c2.pdf

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HY3503C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 30V/150AD D D D D D D DRDS(ON)= 2.0m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 2.7m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and RuggedS S S G G S S S Halogen- Free Devices AvailablePin1 PPAK5*6-8L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFET

Otros transistores... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , P55NF06 , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .

 

 
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